Viimastel aastatel on turunõudlus N-tüüpi fotogalvaaniliste moodulitoodete järele kiiresti kasvanud. Nende hulgas on TOPConi tooted võtnud juhtpositsiooni suuremahulises masstootmises oma kõrge kulukuse ja selge tõhususe parandamise eelistega ning hõivanud 2024. aastal domineeriva positsiooni maailmaturul. Karmi turukonkurentsi tingimustes tehnilisi vahendeid, mida TOPCon aku kasutab peamiselt fotogalvaaniliste süsteemide tõhususe parandamiseks ning kulude vähendamiseks ja tõhususe parandamiseks? Aku efektiivsuse kadumise allikad: optiline kadu ja elektrikadu
Akuelementide efektiivsuse langus tuleneb peamiselt optilisest kadudest ja elektrikadudest. Optiline kadu on peamiselt põhjustatud aku pinnal olevate metallvõrgu joonte ummistusest; osa elektrikaost tuleneb metallvõrgu liinide kontakttakistusest ja teine osa elektronide ja aukude rekombinatsioonikaost.
TOPCon aku: passiveerimiskontakt, mis vähendab aku rekombinatsiooni kadu
Aku efektiivsuse parandamiseks on vaja selle optilist kadu ja elektrikadu pidevalt vähendada. Erinevad akutehnoloogiad kasutavad erinevaid optimeerimismeetmeid: BC-aku valib liigutada kõik elektroodid akuelemendi taha, vähendades sellega eesmise võrguliini takistuse optilist kadu; TOPCon aku põhiline tõhususe parandamise meetod on aku rekombinatsioonikadude vähendamine passiveerimiskontakttehnoloogia abil.
Akus toimub elektronide ja aukude rekombinatsioon peamiselt räniplaadi pinnal ja selles osas, kus räniplaat metalliga kokku puutub. Pärast rekombinatsiooni ei aita elektronid ega augud enam fotovoolule kaasa, mõjutades seega aku efektiivsust.
TOPConi passiveerimiskontakti struktuur vähendab peamiselt aku rekombinatsiooni kadu järgmisel kolmel viisil:
1. Tunneliefekt saavutatakse ladestunud SiO2 kile kaudu: see tähendab, et aku tagaküljest lastakse läbi ainult elektronid, samas kui augud läbi ei pääse, vähendades seeläbi elektronide ja aukude rekombinatsioonikadu edastusprotsessi ajal;
2. Väljapassiivsuse efekt saavutatakse sadestatud legeeritud polüränikihi (Poly-Si) kaudu: see tähendab, et aku pinnale tekib elektriväli, mis takistab tagaküljel olevate aukude lähenemist ja vähendab seeläbi nende rekombinatsiooni elektronidega. .
3. Sadestatud legeeritud polüränikiht tagab elektronidele hea juhtivuse: tagaküljel olev metallvärava joon puutub otse kokku legeeritud polüränikihiga, vältides sellega otsest kontakti aku räniplaadi ja metalli vahel, vähendades oluliselt selle osa rekombinatsioonikadu. .